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IRFB3206PBF  与  IPP024N06N3 G  区别

型号 IRFB3206PBF IPP024N06N3 G
唯样编号 A-IRFB3206PBF A-IPP024N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 2.4mΩ
上升时间 - 80ns
Ciss - 17000.0pF
Qg-栅极电荷 120nC -
Rth - 0.6K/W
Coss - 3700.0 pF
栅极电压Vgs ±20V 3V,2V,4V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 210A 120A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 206.0 nC
Ptot max - 250.0W
长度 10mm 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 24ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
高度 15.65mm 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.34
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 300W 250W
典型关闭延迟时间 - 79ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 41ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.609 

阶梯数 价格
20: ¥4.609
100: ¥3.696
1,000: ¥3.52
4,204 对比
IPP024N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP024N06N3GXKSA1_250W 2.4mΩ 60V 120A TO-220 N-Channel 3V,2V,4V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOT262L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF1405Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 75A(Tc) ±20V 230W(Tc) 4.9mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
IRF3805PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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